中子辐照6H-SiC单晶的缺陷回复研究

被引量 : 0次 | 上传用户：kaji2009

【摘要】

：

SiC是继Si和GaAs之后发现的半导体材料,与ZnO、金刚石以及GaN同为第三代半导体材料,它弥补了Si和GaAs这些传统半导体器件不能满足现代电子技术对耐高温、高频、高压以及抗辐射要求的缺陷。SiC电子器件航天航空、化工、通信、能源和空间科学等领域的应用非常有前景,特别是在核能技术方面有着广泛的应用,是核裂变和核聚变反应堆的后备材料。本文的研究对象是高剂量中子辐照后的6H-SiC单晶,中子辐照

【作者】

：

赵荣荣

【机构】

：

天津大学

【发表日期】

：

2018年05期

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