【摘 要】
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用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定电源功率、氩气流量42.6 sccm、氧流量15 sccm、溅射时间30 min的条件下,通过控制总气压改变TiO2薄膜的光学性质.
【机 构】
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东北大学,东北大学,中山大学,中国科学院广州能源研究所,中国科学院金属研究所
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用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定电源功率、氩气流量42.6 sccm、氧流量15 sccm、溅射时间30 min的条件下,通过控制总气压改变TiO2薄膜的光学性质.应用n& k Analyzer 1200测量,当总气压增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷向短波方向移动,总气压对消光系数k影响不大;随着总气压的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当总气压达到一定量值时折射率的变化趋于稳定.通过XRD和SEM表征发现,随着总气压的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐
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