直流反应磁控溅射相关论文
极紫外（EUV）反射镜在使用过程中的氧化及表面碳污染沉积，严重影响了极紫外光刻（EUVL）技术的工业应用。为了延长EUV 反射镜的稳定性与使......
室温下,采用直流反应磁控溅射法制备透明导电氧化亚铜（Cu2O）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、四探针测试仪及拉曼光谱仪......
为了促进绿色节能环保产业的发展,开发环境友好型材料刻不容缓,其中亲水性材料在净化环境和防雾等领域有着广泛应用,越来越受到人......
过渡金属钒与氧结合可以形成多种价态的氧化物，在光学和电学方面展现出独特和优异的性质，是目前国内外的研究热点。氧化钒薄膜在光电......
氧化铅是一种传统的n型氧化物半导体材料,具有很多的优点,如生长温度低,制备方法简单,耐腐蚀性强,具有很好的光电特性和气敏特性等......
ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,由于ZnO具有很高的激子束缚能（室温下为60meV）,激子增益可达到300cm-1,是一种可能......
本文采用直流反应磁控溅射法制备了TiO_2光催化活性薄膜，以其在紫外光下对罗丹明B的降解率作为活性评价标准，并通过正交试验法优化了......
透明导电氧化物薄膜以其接近金属的导电率、可见光范围内的高透射率、红外波段的高反射率以及其半导体特性，广泛地应用于太阳能电池......
现代通信系统和设备微型化、高频化、高性能、高可靠性的发展趋势对薄膜声表面波(SAW)器件提出了更高频、更大带宽、更高耐受功率......
抑制光生载流子的复合，提高TiO2的光催化效率，制备出既具有良好的亲水特性又具有高光催化活性的薄膜型复合光催化剂已成为近年来光催......
采用DC反应磁控溅射工艺在K424合金基底上制备了ZrO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的热处理,采用XRD、SEM和EDS等分析手段对薄膜的......
采用直流反应磁控溅射的方法,溅射高纯钛靶在ITO石英衬底上制备了TiO2薄膜。用XRD、Raman光谱、AFM和紫外-可见光分光光度计分别测......
以铝掺杂质量分数为1%、2%、3%的Zn/Al合金为靶材,采用直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同铝含量ZnO:Al(AZO)透明导电薄......
用直流反应磁控溅射法制备了Pt-WO3气敏薄膜,进行了薄膜晶体结构和表面形貌的分析,研究了添加Pt对WO3电学和气敏特性的影响.实验证......
采用直流反应磁控溅射系统,选择独立Ti靶在3003AlMn合金表面在不同氮流量下制备(Ti,Al)N薄膜,采用扫描电镜、能谱分析、X射线衍射......
期刊
采用常温下靶面进气的直流反应磁控溅射方法在柔性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基片上制备氧化钛薄膜，通过正交试验设计沉积工艺条件......
采用直流反应磁控溅射的方法,在石英衬底上制备Cu2O纳米薄膜,研究了工艺因素中的溅射气压、氧分压、气体流量、溅射功率对薄膜结构......
以纯铝为靶材，在不同氩氧比例下，采用直流反应磁控溅射方法制备Al2O3薄膜。利用X射线衍射（XRD）、能谱（EDS）、扫描电镜（SEM）和精密阻抗分析......
研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Al薄膜具有(002)面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,......
在工作气压为 0.80Pa的氧氩气混合气氛下,改变氧与氩的流量比 (O2/Ar:0.10, 0.20, 0.30),在预先镀 10nm左右 SiO2的普通玻璃基片上......
通过直流反应磁控溅射制备了不同Mo掺杂量的Mo-TiO2薄膜．用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）仪、X射线光电子能谱（xPs）仪、紫外．可见（UV-V......
用直流反应磁控溅射法制备了TiO2—WO3双层结构的气敏薄膜，进行了薄膜微结构和化学成分分析，研究了TiO2表面层对WO3气敏特性的影响。......
采用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备TiO2薄膜.用紫外-可见光分光光度计和AFM分别表征了薄膜的透射率和表面形貌,用包络线法详......
采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在ITO玻璃上制备电致变色WOx薄膜,运用XRD衍射方法和扫描隧道显微镜(STM)测试手段对薄膜......
用溅射功率为100~500 W的直流反应磁控溅射法制备出不同结构与特性的TiO2薄膜样品;采用原子力显微镜（AFM）、X线衍射仪（XRD）、傅里叶红......
用直流反应磁控溅射法在未加热的玻璃基片上制备出晶态TiOx（x〈2）薄膜,研究关键工艺因素即氧气流量对薄膜的沉积速率、表面形貌、显......
用直流反应磁控溅射法在玻璃基片上,在不同氧分压条件下制备了一组TiO2低辐射薄膜样品.用原子力显微镜(AFM)观察了不同制备条件下......
采用直流反应磁控溅射的方法, 溅射高纯钛靶在ITO石英衬底上制备了TiO2薄膜.用Raman光谱、AFM和紫外-可见光分光光度计分别测试了T......
讨论一种对二氧化氮具有高灵敏性的WO3纳米薄膜的制备方法.当基片温度为室温,溅射混合气体(O2/Ar)的比例为1:1时,用直流反应磁控溅......
通过电化学阳极氧化-化学溶蚀技术制备了一种由无数纳米凸点和凹点所构成的新型铝基纳米点阵模板。采用直流反应磁控溅射法在这种......
室温下,采用直流反应磁控溅射法制备透明导电氧化亚铜（Cu2O）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、四探针测试仪及拉曼光谱仪......
应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30分钟......
以Zn∶Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶Zr透明导电薄薄膜。研究了沉积压强对ZnO∶Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能......
用含2％Al的Zn／Al合金靶材，在不同气流场强度下使用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZAO（ZnO：Al）透明导电薄膜样品。定义气流场强度......
利用直流反应磁控溅射方法制备了厚度为480nm,不同掺氧量γ的Fe3O4薄膜,再经过480度80分钟的高温退火处理.系统研究了薄膜的微结构......
用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定电源功率、氩气流量42.6 sccm、氧流量15 sccm、溅射时间30 min的条件......
本文通过直流反应磁控溅射,采用Al+N共掺的方法在N2O-O2气氛下制备p型ZnO薄膜.结果表明,衬底温度为500 ℃时共掺所得p型ZnO的载流......
本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜.ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α-Al2O3(0001)衬底上,生长气氛为NH3-O2中.利用X......
应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在工作压强为2.0×10-1 Pa,氩气流量为42.6 sccm,溅射时间为30 min的条......
采用直流反应磁控溅射法制备了TaN薄膜，研究了薄膜厚度对TaN薄膜微观结构及电性能的影响。结果表明，薄膜厚度对TaN薄膜的表面形貌和......
采用磁控溅射技术以10%Si～90%Al合金为靶材,通入O2将Si氧化成SiO2,Al氧化成Al2O3,在普通PET薄膜表面制备具有高阻隔性无机阻隔薄膜......
应用直流反应磁控溅射设备在铜基底上制备双层TiOxNy选择性吸收薄膜。当第一层薄膜的制备参数不变时，研究了第二层薄膜中N2流量参数......
采用直流反应磁控溅射法，用Al含量为2％的Zn／Al合金靶材，室温下在玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜样品．在其他参数不变的情况下，由不同溅......
采用直流反应磁控溅射方法，由氨气和氧气的混合气体在玻璃和单晶硅衬底上制备Al、N共掺Zn1-xMgxO薄膜。采用XRD、FE—SEM、Hall实验......
采用直流反应磁控溅射的方法,制备了TiO2薄膜.用X射线衍射,原子力显微镜(AFM)和紫外-可见光分光光度计分别测试了TiO2薄膜的晶体结......
在室温条件下采用直流磁控反应溅射方法,在涤纶纺粘非织造织物表面沉积纳米二氧化钛（TiO2）薄膜。采用原子力显微镜（AFM）和X射线光电子......
室温条件下采用直流磁控反应溅射技术在涤纶纺黏非织造织物表面生长二氧化钛（TiO2）薄膜。采用X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪和原子......
报道了利用直流反应磁控溅射以Al，N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜．ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于a-Al2O3(0001)衬底上，N来自NH3与O2的生......
