栅氧可靠性相关论文
近年来,随着新能源发电、电动汽车、通信电源以及智能电网等新兴应用快速发展,对电力电子装置的效率和应用环境提出了更为严苛的要......
SiC MOSFET作为单极型功率器件,与同等电压量级Si双极型功率器件相比,具有更高的开关速度和更低的开关损耗,这使得SiC MOSFET可以......
随着光伏发电、风力发电、氢能源等新能源技术的迅速发展,全球化石能源正在逐步被清洁新能源取代。将太阳能、风能、地热能、海洋......
相比于硅基绝缘栅双极型晶体管（Si IGBT）,碳化硅基金属-氧化物-场效应晶体管（SiC MOSFET）具有更低的功率损耗、更高的工作温度和更高的......
利用击穿电压和击穿电量这两个参数评价标准0．18μmCMOS工艺栅氧的可靠性，获得击穿电压和击穿电量的两个常用方法是电压扫描法和电流......
通过结合发光显微镜（EMMI）测试和poly-edge电容测试结构很好地控制了多晶硅刻蚀时间，避免了栅极氧化膜的早期失效．从栅极氧化膜击穿电......
碳化硅(SiC)材料作为第三代宽禁带半导体材料,以其为衬底制备的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field E......
在集成电路的制造过程中,硅片的清洗对器件的良率、寿命及可靠性具有决定性作用。据统计,在集成电路的生产过程中,超过50%的产品报......
随着技术的不断发展,为了满足器件性能的要求,超大规模集成电路(ULSI)的栅氧化层的厚度不断的减薄,由20-30nm降至几个纳米。然而,......
