氮化镓高电子迁移率晶体管相关论文
应用半导体技术的固态功率放大器具有体积小和稳定性高等优点，在很多微波应用中取代了传统的TWTA。在所有类型半导体材料中，第三代半......
为了适应第五代移动通信系统（The 5th Generation,5G）的发展,作为发射机核心部分的射频功率放大器,需要在工作频率、功率、效率、电......
采用SiC衬底0.45μm GaN HEMT工艺,设计了一款GaN混合集成两级非对称Doherty功放,在较大的回退状态下仍具有较高的效率.为了减小芯......
第三代半导氮化镓(Ga N)由于其宽带隙、高电子迁移率、高饱和速度、高击穿场强等特点,被视为硅(Si)材料的有力竞争者。氮化镓高电......
学位
研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响，发......
文章研究了A1GaN／GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下，采用三种不同辐照剂量6×10^14，4×10^14和1&......
介绍了一种由矩形微带贴片天线和功率放大器一体化集成设计的发射类型单片太赫兹集成电路.该电路采用GaN HEMT工艺制备,实现了高功......
采用双台面隔离工艺,实现了器件有源区隔离,隔离电压大于250V/10μA。通过对金属化前和介质膜淀积前的预处理过程的改进,实现了较......
通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶......
本文实现了一种基于自主50V工作GaN HEMT工艺的S波段内匹配功率管。以S参数和负载牵引结果进行内匹配电路设计,采取两管芯并联的方......
GaN HEMT凭借其高电子迁移率、高二维电子气浓度和高击穿电压等特性,在高频、高温和高功率密度领域有着广泛的应用,是功率器件的研......
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其复杂的器件特性使其大信号建模变得十分困难,尽管EEHEMT、Angelov等模型结构曾经成功应用于Ga As H......
期刊
GaN HEMT器件以其高频大功率等特点成为下一代微波功率器件的绝佳选择,在军事和民用领域均得到了广泛的应用,目前,毫米波频段GaN基......
通过对阿伦尼斯方程进行研究，指出了结温检测结果的误差将会影响加速寿命试验结果的准确性。根据GaNHEMT加速寿命试验中常用的结温......
基于实验测试数据，综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌Ⅰ-Ⅴ曲线变化差异。研究表明：在脉冲测试条件下，RS增大，栅下沟道开启......
氮化镓(GaN)宽禁带半导体作为第三代半导体材料,具有高热导率、高击穿电压、高电子漂移率、耐高温、耐高压等优势,特别适合应用在......
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学位
基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设......
期刊
针对0.5μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)自对准T型栅工艺,提出一种优化的解决方案。在感应耦合等离子体设备中引入两段法完......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
GaN HEMT器件经过钝化后,抑制电流崩塌效应明显,但同时产生其他负面效应,为了改善目前GaN HEMT钝化后漏电增加和击穿电压减小等情......
期刊
在当前电子信息产业中,射频功率器件占有重要地位。第三代宽禁带半导体氮化镓（GaN）是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后最重要的半导材料之一,......
介绍了一种基于GaN-HEMT的L波段线性功率放大器,GaN功率HEMT具备高电压、高功率密度和高温工作等特点,对提升功率放大器线性输出功......
期刊
随着有源相控阵雷达高集成度和小型化的发展,对功率放大器的输出功率、效率、尺寸等指标也提出了更高的要求。基于第三代半导体材......
实现了一款应用于S波段雷达系统的GaN HEMT内匹配功放。以小信号S参数和Load-pull结果为基础进行内匹配电路设计和仿真,采用单个24......
期刊
使用GaN HEMT功率器件,设计了一款5G低频段的高效率E-1/F类射频功率放大器。为降低晶体管寄生参数及高次谐波对逆E类（E-1）功放开关特......
GaN HEMT器件以其高频大功率特点成为微波功率器件的绝佳选择,目前关于GaN HEMT的研究已经逐渐进入毫米波频段。本论文主要针对Ka......
基于宽禁带氮化镓(GaN)制成的高电子迁移率晶体管(HEMT)在大功率、高温和高频应用中具有极大的发展潜力,因此在微波毫米波领域引起......
随着电路集成度的不断提高,传统硅基器件会出现较大的寄生电容和漏电流,从而剧烈影响半导体器件的正常工作。与此同时,高密度导致......
近年来随着氮化镓器件制造工艺的迅速发展,氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）已经开始应用在电力电子领域。GaN HEMT以其低寄生参......
