HVPE相关论文
建立了用于生长直径为15.24cm(6inch)的Ga2O3材料的氢化物气相外延(HVPE)生长腔的二维几何模型，对Ga2O3材料的生长进行了数值模拟。......
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施......
Ga_2O_3作为一种超宽禁带半导体新型材料,不仅具有超宽的带隙(高达4.9e V),较高的临界击穿电场(高达8MV/cm),而且在高温下还具有出......
氮化镓(GaN)是由Ⅲ族元素Ga和Ⅴ族元素N组成的直接宽带隙化合物半导体材料。GaN物理化学性质稳定,具有优异的光电特性,不仅是制备......
氮化镓被广泛应用于光电子和电力电子器件之中。由于氮化镓体单晶的研究进展落后于氮化镓器件的研究进展,商品化的氮化镓器件通常......
A high-quality GaN film was (W-GaN) grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on metalorganic chemical vapor depositio......
Thick GaN layer deposited by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) GaN ......
