硅掺杂相关论文
针对红外探测器制作特性的要求，改善制作材料的物理性能，为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜（由MOCVD生长）在12~300 K温度范......
近年来,许多便携式、可穿戴、可植入式的电子设备已经融入到我们的日常生活中。构成这些设备的关键部件有能量收集器、能量存储元......
二氧化钛在空气净化、水的杀菌消毒和含有机污染物的废水光催化降解中有重大的应用,且无二次污染,成为目前引起科学家关注的绿色环......
二氧化钛因其良好的化学和物理性能被广泛用于各个领域中,但二氧化钛有三种晶型:锐钛型、金红石型、板钛型。应用最多的是锐钛型和......
金刚石具有宽禁带、高热导率、高载流子迁移率、高击穿电压等优点,被认为是终极半导体。对于半导体器件来说,经常采用先辐照后退火......
目的 通过分析辐照后硅掺杂羟基磷灰石(Si?HAP)的顺磁性变化,研究Si?HAP材料的剂量学特性,为新型电离辐射剂量测量材料研究提供参......
近年来,随着光纤通信技术的不断发展,铒(Er)掺杂的半导体材料引起了研究者的极大兴趣。这是因为,Er离子在1540nm处有很好的的荧光......
本论文主要通过离子束溅射的方法制备了Si掺杂的类金刚石（DLC）单层薄膜和不同亚层模量比以及不同亚层厚度比的多层薄膜，通过改变单层......
将铁电薄膜材料与硅基半导体集成工艺相结合而发展起来的铁电存储器具有非易失性、读写速度快、低功耗以及抗辐射等其它类型的存储......
目前，Ti02光催化材料固化技术解决了Ti02颗粒难于回收的问题，但其光催化活性仍然偏低，不能满足水污染治理领域对光催化材料的需求。为......
在光催化领域,TiO_2纳纳米材料是光催化活性高,研究最广泛的一种半导体。而Si掺杂的TiO_2纳米体系不仅具有很高的光催化活性,而且......
硅作为最重要的半导体材料,其表面结构及其外延生长一直是人们关注的研究课题。由于Au/Si界面在电子器件和表面催化方面的广泛应用......
本文利用电化学恒电位沉积方法在金属钛表面制备了含硅羟基磷灰石(Si-HA)和无定形磷酸钙(Si-ACP)及其复合涂层,研究了不同的Si元素......
目前，一维半导体纳米材料因其独特的光电特性而被广泛关注。其中，ZnO由于其具有宽禁带（3.37 eV）和高激子束缚能（60 meV），在室温或更高温度......
微波-ECR等离子体增强化学气相沉积和等离子体增强非平衡磁控溅射两种工艺同步进行,可制备半导体、合金材料,而且能制备性能优异的......
AlN体系由于在储氢材料、特殊光电材料方面的潜在应用被人们广泛关注。Al、N配对的Al12N12笼是AlN类富勒烯体系中较稳定的最小结构......
本论文主要工作分为两部分：第一部分是利用Leybold LAB600sp磁控溅射系统采用射频与直流磁控共溅射的方法制备了不同组分的Si-ZrO2......
染料敏化太阳能电池(DSSC)是一种把太阳能转化为电能的一项技术，因为它的制作成本低廉，转换效率较高，在新能源利用方面具有很大的发展......
本文使用原子力显微镜考察了硅掺杂类金刚石薄膜的表面形貌及粗糙度,同时分析了薄膜表面的粘附力和微观摩擦力学性能。实验表明,随......
采用溶胶-凝胶法合成了硅掺杂的介孔TiO2材料,用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、和N2吸附脱附等分析手段对产物结构和光学......
采用X射线衍射(XRD)和拉曼光谱2种方法测量了不同硅碳比的CVD掺硅金刚石薄膜的残余应力.采用偏压增强热丝化学气相沉积装置在硬质......
采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂取向的GaAs晶体.选用带籽最槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥......
