器件仿真相关论文
在晶圆厂生产中,一颗性能良好的芯片和很多因素相关,包括:原材料特性、电路设计完整性、工艺选择以及环境和人员素养。相对来说,原......
本文针对一种对管MOSFET产品6A/20V、-4.4A/-20V进行研究.产品具有低压、低阈值、低导通电阻,且具有抗单粒子37Mev/(mg/cm2)、抗电......
光电子器件的发展为人们的生活提供了方便和快捷,光电探测器是光接收器件,是光电子器件中的重要组成部分。雪崩光电探测器（APD）是应......
设计了一种Ge/Si波导集成型雪崩光电二极管(APD)。器件采用将Si波导层置于Ge吸收层之下的结构,光经波导层进入吸收层只需一次耦合,......
静电感应晶体管（Static Induction Transistor,SIT）是近年来重新发展起来的一类功率器件。由于其具有耐压高、电流容量大、抗辐射性......
宽禁带SiC以其优异的特性,成为制造超高压晶闸管的首选材料。SiC光触发晶闸管(LTT)因驱动电路简单、抗电磁干扰能力强,成为超高压......
发光二极管(LED)作为新一代绿色照明光源,具有高效、节能、环保、寿命长的优点,在节能减排、低碳发展中发挥了重要作用。现在,四元......
在现代电力电子电路中，对器件尺寸要求越来越小，对工作频率的要求越来越高，功耗越来越小。因此，对二极管提出了高耐压、低功耗、快恢复......
可控硅(SCR)被广泛应用于片上静电放电(ESD)防护.由于SCR的低维持电压特性,闩锁问题一直是其应用于高压工艺ESD防护的主要问题.改......
本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证.基于仿真结果首次讨论了G......
设计了一种具有同型异质结埋栅结构的太阳电池,该电池与类似的多晶硅电池相比,其在400～ 600nm及大于850nm波段的光谱响应及开路电压......
提出了一种改进的集成雪崩光电二极管器件结构，由硅和锗材料的雪崩光电二极管结构集成，分别包含吸收区、电荷区和倍增区结构。该改进......
为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象，建立了CCD纵向抗晕结构模型，运用半导体器件数值模拟软件MEDICI，列建立的纵向......
分析和讨论了CCD抗晕结构,并建立了CCD纵向抗晕结构模型。运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进......
建立了电荷耦合器件（CCD）纵向抗晕结构模型，运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI，对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算，并详......
A novel LDNMOS embedded silicon controlled rectifier(SCR) was proposed to enhance ESD robustness of high-voltage(HV) LDN......
TKScope是广州致远电子有限公司2008年隆重推出上市的一款高性能通用型综合仿真开发平台，支持仿真全系列的8051、ARM、DSP、AVR、C1......
随着ARM的普及和广泛使用，越来越多的用户将会涉及到ARM器件仿真问题。广州致远电子有限公司，国内知名专业仿真器提供厂商，旗下TKScop......
硅控整流器SCR(Silicon Controlled Rectif ier)以及SCR的衍生器件跟二极管和GGNMOS(Grounded Gate NMOS)一样均是应用较为广泛的E......
由理论公式推导出辐照偏压影响MOS器件总剂量效应宏观电学参数的解析表达,并给出器件仿真结果加以验证。在总剂量效应未达到饱和的......
基于器件物理模拟分析法研究PIN限幅器二极管的微波脉冲热效应,利用Sentaurus-TCAD仿真器建立了PIN二极管二维多物理场仿真模型,研......
基于物理模型法研究PIN限幅器二极管的微波脉冲热效应,研究了间隔1~20ns的两个微波脉冲构成的组合脉冲与单个长脉冲对于器件峰值温......
用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明，不考虑自旋散射的作用，当漏极电压比较小时该器件能达到很......
随着应用终端需求的加强和能效要求的不断提升,对功率器件性能的要求也不断提升。于此同时也推进了器件结构的不断发展,带来了功率......
利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共......
本文深入研究了高纯锗半导体探测器(HPGe)的制造工艺及其结构优化。利用Silvaco Tcad软件的工艺仿真工具Athena,对半导体材料进行......
易制备、成本低、光伏转换效率日益接近硅太阳能电池的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池成为当前广受关注的第三代太阳能电池的代表......
对于100V以下低压功率MOSFET器件,要实现大电流和低导通电阻,若采用平面结构,芯片面积会很大,不能满足元器件小型化的市场需求。本......
众所周知,传统的基于CFA(彩色滤光片列阵)的彩色图像传感器由于RGB三色通道空间采样频率的不一致,当图像存在超过图像传感器奈奎斯......
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学位
提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p~+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构。采用silvaco软件对C......
近年来,随着我国经济的发展,计算机、通讯等行业对电源产品需求不断的增长,电源控制器的研究己成为国内外功率电子学领域中的一大......
量子计算是当前物理学领域的一个重要课题,半导体量子点是量子计算的一个主要的物理实现方案。本论文针对于半导体量子点的操作与......
SILVACO TCAD是一款半导体工艺和器件仿真的专用软件,具有良好的界面,精确的模型设计被广泛应用。本文利用SILVACO TCAD软件对VDMO......
为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质......
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)自1982发明以来,以其驱动功率小而饱和压降低的优点广泛应用于600V......
光电子技术实验是光电信息科学与工程专业专业方向的一门集中实践课程。该专业在工程认证背景下,为了实现课程对指标点有力的支撑,......
X射线由于具有强透射性，是工业中无损探伤、安全检测理想的探测源，并被广泛应用于医疗探测、辐照成像等领域。由于X射线属于高能射线......
介绍器件参数提取的意义,并对基于工艺的参数提取和基于器件仿真的参数提取两种方法进行了比较。根据0.35 μm SOI CMOS工艺参数,......
介绍一种在理论计算的基础上，采用ADS软件对射频滤波器进行优化及仿真的方法，重点阐述射频滤波器设计过程中的优化设计、器件仿真以......
文章讨论了用MEDICI作基于仿真的ESD保护电路设计方法,并以GGNMOS为例,给出了MEDICI仿真结果与实验数据的对照。结果表明此方法是......
日益成熟的集成电路工艺与器件计算机辅助设计工具有助于缩短半导体工艺和器件的开发周期、降低开发成本,因而越来越被广泛应用。......
期刊
本文采用器件仿真的方法分析了量子阱宽度对于LED光电性能的影响。结果表明：随着阱宽的增加，LED的电流密度变小；在阱宽为5nm左右时，LED......
针对静电感应晶体管理论研究迟滞于实践过程,文中利用软件Silvaco Tcad,从器件仿真入手,对影响硅基表面栅静电感应晶体管器件电学......
提出了一种改进的集成雪崩光电二极管器件结构,由硅和锗材料的雪崩光电二极管结构集成,分别包含吸收区、电荷区和倍增区结构。该改......
雪崩光电二极管(APD)作为光探测器是光通信系统中的关键器件,与传统的PIN探测器相比,具有内部增益的APD可提供更高的灵敏度,因而一......
基于解析分析对比了大尺寸与深亚微米尺度下静态随机存取存储器(static random access memory,SRAM)单元单粒子翻转敏感性的表征值......
为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行......
为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的......
基于电磁脉冲对半导体器件效应的电-热多物理场模型,利用Sentaurus-TCAD仿真器建立了PIN限幅器电磁脉冲效应数值模型,研究了不同峰......
