交换耦合场相关论文
采用新的磁控溅射两步法沉积自旋阀多层膜,不仅交换耦合作用大大增强,而且可以提高磁电阻比值和降低层间耦合作用.得到磁电阻比值～2......
采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/Bi(Ag,Cu)/FeMn/Ta和Ta/NiFeⅠ/FeMn/Bi(Ag,Cu)/NiFeⅡ/Ta多层膜.通过X射线衍射研究了薄膜样品Ta/......
采用磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta/Cu作为缓冲层的两种NiFe/FeMn双层膜.实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场......
采用磁控溅射方法制备了Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面沉积适量厚度......
对于Ｔａ/ＮｉＦｅ/Ｃｕ/ＮｉＦｅ/ＦｅＭｎ/Ｔａ自旋阀多层膜,Ｃｕ原子偏聚到ＮｉＦｅ/ＦｅＭｎ界面将导致自旋阀多层膜中ＮｉＦｅ/ＦｅＭｎ的交换耦合场Ｈｅｘ下降．然而,少量的表面活化原子Ｂｉ被沉积到Ｃｕ层和被钉扎ＮｉＦｅ层之......
用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜NiO/NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系,结果表明:N......
在不同的温度下烧结制备 Ni O靶 ,用射频磁控溅射法淀积 Ni O/ Ni81 Fe1 9双层膜 ,研究了不同的温度烧结 Ni O靶对 Ni O/ Ni Fe双......
采用射频磁控溅射方法制备了一系列自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面处插入适当厚度的Co薄层,可增强界面处的自旋相关散射,增大自旋阀的......
实验表明Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜的交换耦合场(Hex)要大于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的Hex.为了寻找其原因, 用X射线光......
采用磁控溅射方法制备了NiFe/FeMn双层膜,分别以Ta,Cu作为缓冲层,Ta作为保护层.实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦......
