全局平面化相关论文
研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性 ,化学与机械作用匹配 ,浆料的悬浮及存放和后清洗等问题。
The study is about the ULSI mosaic ......
对ULSI制备中铈(Ce)在Si02介质的CMP中的应用及对Ce胶体抛光液的制备进行了较为深入的实验研究,并对提高抛光效果进行了大量实验.......
对甚大规模集成电路(ULSI)多层布线中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综合分析，如何使用化学方法......
通过机械加工使硬脆材料达到亚微米级的平面度,纳米级的粗糙度是非常困难的,而广泛应用于IC加工领域的化学机械抛光（CMP）则能够实现......
提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型，对抛光液的pH值、磨料、氧化荆浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结......
化学机械抛光技术（ＣＭＰ）已成功地应用于集成电路多层结构中介质层和金属层的全局平面化。这是唯一能对亚微米级器件提供全局平面化的技术......
随着集成电路技术的飞速发展，集成度越来越高，特征尺寸越来越小，导致了结构的立体化，布线多层化。这就对内部层与层之间的表面要求更高......
随着集成电路工业的发展，芯片集成度不断提高，特征尺寸不断减小，为了改善芯片电学性质，需要采用多层金属布线结构，导致芯片表面要求达到......
对超大规模集成电路制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件的选择进行了大量理论和实验研究 ,着重研究了使用化学方法提高抛光速......
