结终端相关论文
第三代宽禁带半导体材料氮化镓（Gallium Nitride,Ga N）具有高击穿电压、高电子迁移率、高热稳定性等诸多优良特性,是制备功率器件非......
分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点。基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的......
本文主要研究高压功率半导体器件的结终端技术。利用仿真手段设计与验证了四种适用于1700V功率器件的结终端，包括场限环(FLR)、具有......
研究使晶闸管有效面积比极大化的阴极图形及结终端结构设计和工艺技术,实质性提高特高压（UH-V）晶闸管综合性能参数水平,易于折中协调......
在对4H-SiC高压PIN二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的高压4H-SiC PIN二极管耐压特性进行了模......
结终端技术对于IGBT等高压功率半导体器件有着重要意义,本文主要从该领域的申请人以及重要申请人的技术入手,分析该领域的专利申请......
碳化硅(Silicon Carbide,SiC)材料具有高电子饱和漂移速度、高热导率、高临界击穿电场以及抗辐照特性强等相比硅(Si)材料的突出优......
在全球功率半导体市场日新月异的今天,VDMOS始终是功率器件最主要的产品类别之一。对于高压VDMOS,良好的终端结构是实现高耐压的保......
结终端扩展（JTE）技术最早由A．K．Temple等人提出，其作用是控制高压器件的表面电场。最早的JTE为横向变掺杂技术将终端区分为多区，靠近主结......
电子注入增强型栅极晶体管IEGT (Injection Enhancement Gate Transistor)是由IGBT发展而来的。1994年由日本东芝公司开发成功。由......
SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）以其导通电阻低，开关特性好等优势在功率系统中展现出巨大的应用潜力。基于高k介质场板终端的4H-SiC SB......
作为宽禁带半导体器件，AlGaN/GaN基功率器件在功率开关与功率整流中，以其耐高压、低导通电阻等特性而成为国际研究热点之一。其中，异......
学位
针对高压快恢复二极管的动态雪崩问题进行了仿真分析,给出了典型的二极管动态雪崩瞬态图形,提出了一种改善器件动态雪崩耐量的新型......
通过一系列的工艺步骤，在半导体功率器件含有场限环（FLR）的结终端上覆盖了一层300nm厚、介电常数高的钛酸锶钡（BST）膜。对该新型结终端......
碳化硅材料有大禁带宽度、高临界击穿电场、高热导率和高载流子饱和漂移速度等优良特点,能满足更恶劣环境的需求,使其在高温、高频......
提出了一种多重场限环（FLR）终端结构的优化设计方法。这一方法给出了一种简单的模拟结构用以绘制所谓的击穿电压一间距曲线，由这一曲......
对常用的场限环（FLR）和正、负斜角终端结构的耐压机理进行了简要分析,讨论了其结构参数的优化方法。基于GTR台面终端结构,在功率M O ......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)因具有高输入阻抗、低控制功率、驱动电路简单、开关速度快、导通压......
提出了一种多重场限环（FLR）终端结构的优化设计方法。这一方法给出了一种简单模拟结构用以绘制所谓的击穿电压-间距曲线，由这一曲线可......
<正> VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动......
碳化硅(SiC)由于具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和漂移速度高、热导率高以及抗辐射位移能高等优点,成为制备高温、高频、......
主要介绍了VDMOSFET的终端优化设计,讨论了已有终端结构中的场环、场板技术,工作原理.以一种新型的高频VDMOSFET与模拟栅相结合的......
碳化硅肖特基二极管具有击穿电压高、导通电阻低、开关速度快和耐高温等优点，在国民经济和军事等很多领域有着广泛的应用前景，电力电......
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高......
高可靠IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)器件在工业领域中有着极为广泛的应用。终端结构是IGBT器件不可缺少的部分,高可靠......
综述了硅材料功率半导体器件常用结终端技术的新发展。介绍了场板、场限环、结终端延伸、横向变掺杂、深槽、超结器件的终端等一系......
碳化硅(SiC)是近十几年来迅速发展起来的第三代半导体材料之一。与传统半导体材料Ge,Si以及GaAs相比,SiC以其优良的物理化学特性和......
学位
随着电力电子技术的发展,产业界对于功率半导体的要求已由最初对功能性的要求逐渐转而成为对其性能以及可靠性的要求。硅基功率器......
IGBT自诞生以来就以其优异的性能和广阔的应用前景激励着一代又一代工程师进行探索和研究。截至目前为止,高压IGBT的核心技术仍然......
IGBT是当前最主流的功率器件之一。为了降低制造和封装成本,人们提出了将IGBT和与其反并联的续流二极管集成在一起,成为逆导型IGBT......
碳化硅结势垒肖特基二极管(Silicon Carbide Junction Barrier controlled Schottkey Diode,SiC JBS)是以宽禁带半导体材料碳化硅......
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)以其优良的频率特性和控制能力成为电力电子技术领域广泛关注的对象。其具有的MOS栅和双......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是由MOSFET和双极型晶体管组成的一种复合型器件。IGBT不仅具有MOSFET驱动功率小和开关速度快的优点,还具......
以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,因其优异的物理特性,使其能在高压、高温的环境下工作,极大地提高了现有能源的转换效率,......
氮化镓(GaN)功率器件因能实现高功率、高频率、高线性度、高效率等特点吸引着其在功率器件应用领域的快速发展。整流器在功率应用......
学位
碳化硅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Silicon Carbide Vertical Double-diffusion Metal-Oxide-Semiconductor Field......
随着持续增长的大电流容量、高击穿电压及高封装密度要求,硅基器件的发展已经接近其理论限制。碳化硅(SiC)材料其大的带宽、高的临......
音频功率晶体管是属于低频范围的大功率晶体管,它是七十年代发展起来的,现在已成为非常重要的半导体器件,以它为基础做成的放大器......
