硅器件相关论文
近日,我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道,该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业......
不同抗弯强度硅片高温弯曲度变化的实验结果表明，众多因素对抗弯强度和高温弯曲度的影响规律是一致的．高温翘曲度或弯曲度与抗弯强度......
碳化硅(SiC)二极管已经打入迅速扩展的太阳能逆变器市场中,在欧洲尤为如此。科锐公司(Cree)的1200V SiC碳化硅肖特基二极管正在替......
目前对于紧凑型高效率的功率转换系统的需求日益增长,电力工程师们也一直在这一领域努力研究。他们考虑采用更为先进的功率器件,例......
化合物半导体是区别于硅(Si)和锗(Ge)等传统单质的一类半导体材料,主要包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)......
近年来,随着半导体行业的发展,以碳化硅为代表的宽禁带材料进入人们的眼球,碳化硅器件因其耐高压、耐高温、损耗低、开关速度快等......
半导体器件及集成电路的可靠性,很大程度地依赖于半导体表面的纯化技术。因此,自晶体管发明以来,在半导体器件制造领域,为达到器......
即使按照保守的说法,半导体工业还是有很强的生命力。芯片记忆容量的提高以及逻辑和处理芯片速度的提高使光刻领域发生巨大变化。......
硅器件和集成电路中广泛使用铝实现低阻的欧姆接触和内部互连线.长期的生产和实践证明铝金属化系统是成功的.小功率晶体管以及一般......
不错,我们是全力投入开发SiGe技术,SiGe BiCMOS工艺近年的进展已将很多不可能变为现实.举例来说,以SiGe BiCMOST工生产的功率放大......
近年来,许多相关的因素导致对数字电源管理的需求急剧上升.许多板卡设计人员已经转向开发中间总线电源结构,通过使用多个单板DC/DC......
UCLA的Henry Samueli工程和应用科学学校的研究人员近日开发了一种使用光技术的硅器件,其结合了光放大和光电效应,因此不仅能以零......
在当今的电气设备中,功率半导体和电抗式元件(电容和电感)随处可见.它们在正常工作过程中会在为其供电的交流电线上产生两种不希望......
电压比较器在单片机中的出现始于20世纪90年代末.当时,大家认为这项技术仅降低了成本而已.因为,这样的比较器需要的硅器件较少,又......
硅集成电路的按比例缩小技术进入深亚微米(小于100纳米)阶段以后,出现了一系列难以解决的设计问题,给设计人员带来了难以想象的困......
一切与发电、输电、储电有关的电力和各类电器与设备等用的电源,都存在着提高效能与节电的问题,电力能源额定有效利用率便是电力电......
研究了硅器件五种典型伏安特性随温度的变化规律及机理，以及特性与高温合格率的相关性，提出了提高合格率的方法。......
纳米是一个长度的量度单位,其长度仅为一米的十亿分之一.一根头发丝的直径就有七八万纳米.所谓纳米技术,就是指在0.1nm～100nm的空间......
新版简况2003ITRS(InternationalTechnology Roadmap Fo rSemiconductors-2003年国际半导体技术发展路线图)已是第6版.自1999年起......
本文用实验证实了化学反应计量比的HNO3—HF腐蚀液可用作硅器件的深槽腐蚀,而在此腐蚀液中加入醋酸,用于硅器件的浅槽腐蚀比用HNO3......
硅半导体是现代信息技术的基础。现在，各种各样的硅半导体器件构成了当今微电子技术的主体，并且看来这种状况还要继续保持一段相当长......
对于经常设计个位数低电压产品的工程师来说,在提到＂高电压＂的时候,可能想到的只是两位数电压,比如24 V或48 V DC,或者三位数电压,比......
通过优化设计和充分利用硅片面积,研制出了场限环的平面高压半导体分立器件....
英飞凌是全球领先的半导体公司,1999年英飞凌从西门子集团独立出来,公司和中国的渊源也因此与西门子集团一脉相承,在英飞凌17年的......
使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc—Si2H)拥有一系列物性，以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管，发现它具......
<正>在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计......
在利用旋涂掺杂工艺制备基于硅单晶薄膜条带的PN结结构基础上,通过将条带转印至预拉伸柔性基底的方法,使具有PN结结构的硅单晶条带......
本文利用铅系玻璃、锌硼硅玻璃等四种不同组分的玻璃材料,对P~+-P-N结构的硅器件表面进行玻璃钝化的试验研究。用V-I法对玻璃钝化......
英国南安普顿大学的研究人员研制出了速度为当前器件两倍的双极晶体管。该小组利用了标准的硅双极制造和氟植入技术，演示了跃迁频率......
对不同的Ｏ，Ｃｅ束流比条件下用离子束外延方法生长的氧化铈／硅薄膜在热处理前和干氧气氛中经不同温度热退火后进行俄歇电子能谱深度剖析测......
手机功率放大器(PA)通常有3种实现方式:分立晶体管电路、单片微波集成电路(MMIC)和功率放大器模块(PAM).分立电路是最古老也最便宜......
2掺杂问题掺杂是决定材料和器件电学性能的关键之一，希望材料的电导特性能够有序调制，即能够按照需要调节导电类型及其电导率，以满足......
本文介绍离子注入应用于硅器件制造中的方法和设计指南。其中包括硅片在注入时的适当倾斜和在注入后为消除注入损伤所必要的热处理......
<正> 1988年国际固体器件和材料会议于8月24日至26日在日本东京市举行。来自16个国家和地区的755名代表参加了会议,共宣读论文175......
<正>新一代宽禁带半导体材料由于具有优异的潜在材料性能,在功率器件中得到了广泛应用,十几年来一直是电力电子领域的研发热点。其......
<正>虽然采用应力工程技术可以通过增强迁移率实现令人难以置信的性能增益．但也会引起器件的可靠性退化。尤其是还必须把负偏置温度......
<正> 所谓优化现场管理,就是对生产现场进行综合治理,运用现代化管理的思想、方法和手段,对生产力要素进行合理配置,对生产全过程......
采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅......
一、硅单晶和外延材料 半导体硅单晶材料是半导体器件和集成电路等电子工业的基础材料,年产量已超过50亿in~2,到2000年预计将达60......
